在图像传感器中，主要有CCD和CMOS两种芯片。早期我们通常认为图像画质好的设备都采用CCD传感器，而低成本产品则使用CMOS传感器。但是新的CMOS芯片技术已经克服了早期的技术弱点，传感器的设计上相比老产品提升了低照性能、曝光模式等。

　　1.CCD

　　CCD(ChargeCoupledDevice),即电荷耦合器件，以百万像素为单位。数码相机规格中的多少百万像素，指的就是CCD的分辨率。CCD是一种感光半导体芯片，用于捕捉图形，广泛运用于扫描仪、复印机以及无胶片相机等设备。与胶卷的原理相似，光线穿过一个镜头，将图形信息投射到CCD上。但与胶卷不同的是，CCD既没有能力记录图形数据，也没有能力永远保存下来，甚至不具备“曝光”能力。所有图形数据都会不停留地送入一个“模—数”转换器、一个信号处理器以及一个存储设备(比如内存芯片或内存卡)。

　　2,CMOS

　　CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor),即互补金属氧化物半导体。它是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导所需的大量资料。有人发现将CMOS加工也可以作为数码相机中的感光传感器，其具备便于大规模生产和成本低廉的特性。

　　3.CCD与CMOS的区别

　　CCD与CMOS的区别体现在4个方面：

　　(1)信息读取方式CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和3组不同的电源相配合，整个电路较为复杂。CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流(或电压)信号，信号读取十分简单。

　　(2)速度CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下，以行为单位一位一位地输出信息，速度较慢；而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图像信息，速度比CCD电荷耦合器快很多。

　　(3)电源及耗电量CCD电荷耦合器大多需要3组电源供电，耗电量较大；CMOS光电传感器只需使用一个电源，耗电量非常小，仅为CCD电荷耦合器的1/10～1/8,CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势。

　　(4)成像质量CCD电荷耦合器制作技术起步早，技术成熟，采用PN结或二氧化硅(SiO₂)隔离层隔离噪声，成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。由于CMOS光电传感器集成度高，各光电传感元件、电路之间距离很近，相互之间的光、电、磁干扰较严重，噪声对图像质量影响很大，使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入实用。近年，随着CMOS电路消噪技术的不断发展，为生产高密度的CMOS图像传感器提供了良好的条件。

　　要做到高清，还需要在宽动态、自动白平衡、图像的锐利度，以及数字降噪、色彩调整、光线补偿等多方面技术协作。只有在这些综合性能都能够得到很好体现，并且彼此能够相互协调的情况下，才可以说是高清的实现。CMOS与其他图像处理技术的结合要远远超过CCD,动态范围更高，响应速度也更快，更适合高清监控的大数据量特点。此外，随着技术的发展，CMOS的灵敏度也得到很大改善，在效果上，如今一些CMOS传感器与CCD已经不相上下。